Componentes y Semiconductores

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II-6	DC, Large-Signal and AC equivalence circuits of a high perfomance GaAs-HBT	López González

II-6	Medida de la Resistencia Térmica en Amplificadores de Potencia de AsGa	Torregrosa Penalva

II-6	NUEVO MODELO DE CAPACIDAD DE PUERTA PARA TRANSISTORES MESFET DE MICROONDAS INCLUYENDO EFECTOS OPTICOS	ZAMANILLO SAINZ DE LA MAZA

II-6	NUEVO MODELO DE GRAN-SEÑAL PARA TRANSISTORES MESFET DE MICROONDAS INCLUYENDO EFECTOS ÓPTICOS	ZAMANILLO SAINZ DE LA MAZA

V-6	Modelo de ruido de un diodo en avalancha	Maya Sánchez

V-6	Uso de Técnicas Cuánticas en Esteganografía	Curty Alonso

V-6	Nueva técnica de extracción de modelos distribuidos de ruido de FETs	Maya Sánchez

V-6	Análisis de baluns activos MMIC en tecnología HEMT	Reina Tosina

V-6	Acerca de las Capacidades Negativas Drenador-Fuente Observadas en los MESFETs y HEMTs de Microondas	Esteban Marzo

VII-6	ANALISIS DE CIRCUITOS MMIC BALANCEADOS MEDIANTE SERIES DE VOLTERRA	CRESPO CADENAS

VII-6	ESTUDIO DEL MALLADO Y LA DISCRETIZACION EN LA SIMULACION 3D DE UN TRANSISTOR TRW GaAs-HBT	Garcia-Loureiro

VII-6	EQUIVALENCIA ENTRE LAS RESISTENCIAS PARÁSITAS Y LOS FENÓMENOS NO-CUASIESTÁTICOS EN MODELOS DE FETs CON VDS=0 V	MARTÍN GUERRERO

VII-6	SIMULACIÓN DE DISPOSITIVOS HEMT MONOLÍTICOS EMPLEANDO UN MODELO NO CUASIESTÁTICO	MARTÍN GUERRERO

VII-6	INCLUSIÓN DE LOS FENÓMENOS NO CUASI-ESTÁTICOS EN LA SIMULACIÓN DEL RUIDO DE DISPOSITIVOS MESFET MONOLÍTICOS	García Corrales

VII-6	Sistema de Medida Pulsada I/V Pseudo-Random para Dispositivos GaAs MESFET y HEMT	FERNÁNDEZ IBÁÑEZ

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